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第367章 助攻3d晶体管研究再获一员大将3合1（第2页）

然而，纵是丑国召集了一大批英雄好汉，各路精英也对这个难题束手无策。

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当时，业内公认的说法是：35纳米是摩尔定律的尽头，想要把半导体元件做到25纳米以下是不现实的。

就在这个紧要关头，胡正铭提出了一个方案，将芯片立体化，把扁平宽的晶体管结构变成了高而窄的晶体管结构，如此一来芯片的容量提高了400倍，可以继续集成下去。

胡正明团队提出的晶体管数学模型，成为了芯片设计的第一个，而且是唯一的一个国际标准。

1999年，胡正铭团队又研发出了“鳍式场效应晶体管（Fi）”，凿穿了半导体行业35纳米的天花板，一举奠定了接下来三十年的芯片制造的基础，给摩尔定律又续命了好几十年。

在后世，胡正铭的发明被广泛用在手机等消费电子产品上，14纳米、7纳米、5纳米、3纳米制程的芯片都依仗着Fi技术。

此时是1991年，胡正铭正在伯克立分校担任教授，虽然还未提出Fi技术，但他已经率领团队研究出了可靠性工具BERT和晶体管模型BSIM，这些技术为Fi奠定了基础。

在实验室中，赵德彬见到了这位半导体行业的巨佬。

在交谈中，赵德彬了解到，胡正铭今年44岁，在中夏国都出生，后来跟随家人到了琉球生活，73年在伯克立分校获得了博士学位，然后一直从事半导体器件的开发及微型化研究。

听闻赵德彬将在洪港开设代工厂，并在内地建立芯片设计机构，胡正铭沉吟片刻，随后直率地说道：

“赵先生，得知你要在国内发展芯片产业，我是非常高兴的，我很希望我能出一份力。

但是，我目前正在率领团队研究芯片在25纳米程制以下的漏电问题，实在脱不开身，没有办法回国助你一臂之力。

实不相瞒，湾积电的莫里斯·张已经找过我好几次，邀请我到湾积电去，但都被我婉拒了。”

胡正铭的回答在赵德彬的意料之内，他的研究确实只有在丑国才有条件完成。

前世，胡正铭在1999年发布了Fi晶体管，在2001才加入了湾积电担任CTO，并在三年之后再次返回学校教书。

由此看来，在胡正铭的研究没有完成前，他是不会离开学校的。

虽然胡正铭只在湾积电待了短短三年，但他为湾积电做出了极大的贡献，湾积电正是靠着胡正铭和梁梦松师徒两人（顺带着还有蒋上义），才在技术上压了ICM一头，坐上了国际晶圆代工的老大位置。

赵德彬的小算盘打得噼啪作响：师父胡正铭暂时不来没事，能把徒弟梁梦松拉过来也是好的。

所以，赵德彬准备和胡正铭搞好关系。

赵德彬虚心地请教：“不知道胡教授现在的研究课题是什么？”

“是这样的，目前，半导体行业内的共识是，半导体制程工艺做到25纳米时将出现瓶颈，如果制造技术没有突破，很难再继续向下集成。

这是因为，当晶体管达到一定数量后，会产生漏电问题，功耗会变得非常高。”

芯片之所以叫集成电路，是因为芯片运行靠的是无数个极其微小的开关电路不停地通电、断电，来进行二进制运算。

在芯片地方足够大的时候，这些小开关能施展得开，不会互相影响，但是，当晶体管的数量越来越多，一个个小开关开始挤在一起之后，就会产生漏电的问题。

赵德彬搞了许多年的芯片，对胡正铭的Fi技术也好奇地围观过，对以技术拉近关系这事非常有信心。

赵德彬点点头：“我知道了，这被称为‘短沟道效应’，随着单个电路所占的面积减小，其内部隔绝电子流动的沟道也会缩短，造成漏电，干扰芯片内部的运算。”

打个比方，这就相当于在自家院子里跑步，当院子足够大的时候，在里面腾云驾雾都没事，但当院子变得很小且密集的时候，随便一伸jiojio就到了隔壁邻居家院子了。

“短沟道效应”一出，表明赵德彬是懂行的，胡正铭立刻来了兴致，恰好众人正在实验室中，他拿着模型对着赵德彬演示道：

“目前，我们团队的解决思路是制造一种非常细的传导管道，防止电子通过栅极。

我们最近的方案是通过减小栅极的氧化层厚度来达到目的，但在前段时间失败了。”

赵德彬思索着说道：

“胡教授，我觉得这个方案是行不通的。

氧化层的厚度很难把握，如果过于薄了，电子可能会穿过氧化层，进入硅衬底，这会造成另一种泄漏。”

听到赵德彬的话，胡正铭精神一振：“没想到赵先生年纪轻轻，竟有如此的学识！”

紧接着，胡正铭和赵德彬就这个问题旁若无人地探讨了起来。

赵德彬表面驾轻就熟，实际上在脑海里调动了所有的知识，脑子转得都快冒火了。