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第93章 最误打误撞的一集（第3页）

法尔特深吸一口气，缓缓开口，声音中透露出难以掩饰的激动：

“和黄所说的一样，他们构建的这套理论，描述了离子在固体中分布和停留，完全可以看作是这个领域的标准模型。

它描述了高能离子束轰击硅晶体时，离子在材料中的分布规律。理论的核心是离子能量损失的两种机制，也就是核阻止和电子阻止。

黄通过求传输方程，给出了离子在材料中的深度分布，它认为这样的分布近似于高斯分布。

哦天哪！他甚至还根据离子种类和能量，试图去精确计算离子平均的穿透深度和分布的方差。”

法尔特的手指在论文上划过，指向一幅高斯分布曲线，

“你们看这里，他们展示了掺杂剂在硅晶体中的深度分布，并用霍尔效应测量验证了结果，模拟与实验数据高度吻合。

只是受限于实验设备，他们的实验做的比较粗糙，最终离子注入的效果也不够好。

但他们的实验结果虽然不好，但实验结果和计算模拟的结果非常吻合！

不愧是黄，在理论物理上的造诣，有着大师级水准。”

赫尔曼问道：“法尔特教授，有没有可能华国人伪造了实验数据？”

法尔特摇头道：“没有必要，因为实验我们能够复现。

他们用来模拟的实验结果用的就是基础设备，又不是二次离子质谱技术。

总之如果快的话，我们这几天就能模拟一个结果出来，看和华国的模型结果是否一致。

如果验证成功的话，那么可以证明华国在理论基础、模型构建和模拟计算上确实有自己的一套。”

赫尔曼问道：“所以，法尔特教授，您的意思是我们应该要和华国合作？”

法尔特点头：“当然。”

东德的德累斯顿将在未来慢慢成长为整个苏俄阵营的微电子和半导体工业中心。

在八十年底的时候，拥有超过四万名雇员。

而其中最大的企业是生产DRAM，也就是存储芯片的ZMDI。

东德ZMDU61000，1Mb存储量，CMOS工艺，东德冷战末期生产的最高端内存芯片。

什么水平，大致和日立、NEC1984年同等水平。

不能算强，但绝不算弱。

而现在，得益于OGAS计划，东德已经提前往半导体领域投入资源了。

如果不是因为这个原因，他们压根不可能会派魏斯和穆勒前往华国，只为确认华国的技术到底到了哪个地步。

因为如果不是对半导体空前重视，华国在苏俄阵营的工业版图里确实排不上号。

华国掌握的是一部分释经权，以及农业和军事，它的定位不是工业国，此时的苏俄也不希望华国成为工业国。

如果华国在工业技术上达到和东德一个水平，恐怕苏俄要夜不能寐了。

片刻后法尔特接着说道：“华国同行们绘制了离子深度分布曲线，并且展示了他们的理论和实验高度一致。

我认为我们应该推动合作。”

赫尔曼听完后点头道：“我会去推动此事的，不过你们别报太大期望。

毕竟华国同行们想要合作的技术里，离子注入相关设备还是过于敏感，你们知道的。”

在座各位面面相觑。

大家都是知识分子，看报纸属于是每日例行任务了。

自然知道，此时华国正在研发原子弹。